Tip tranzistor: MOSFET Tip canal : N -Canal Putere disipată maximă (Pd): 192 W Tensiune maximă scurgere-sursă |Vds|: 600 V Tensiune maximă poartă-sursă |Vgs|: 20 V Tensiune maximă de prag de poartă |Vgs(th)|: 3,5 V Curent maxim de scurgere |Id|: 21 A Temperatura maximă de joncțiune (Tj): 150 °C Încărcare totală de poartă (Qg): 39 nC Timp de creștere (tr): 5 nS Capacitate de scurgere-sursă (Cd): 100 pF Rezistența maximă de drenare-sursă la starea (Rds): 0,165 ohmi TO247