Tip tranzistor: MOSFET
Tip canal : N -Canal
Putere disipată maximă (Pd): 192 W
Tensiune maximă scurgere-sursă |Vds|: 600 V
Tensiune maximă poartă-sursă |Vgs|: 20 V
Tensiune maximă de prag de poartă |Vgs(th)|: 3,5 V
Curent maxim de scurgere |Id|: 21 A
Temperatura maximă de joncțiune (Tj): 150 °C
Încărcare totală de poartă (Qg): 39 nC
Timp de creștere (tr): 5 nS
Capacitate de scurgere-sursă (Cd): 100 pF
Rezistența maximă de drenare-sursă la starea (Rds): 0,165 ohmi
TO247
