FGY40T120SMD Tip: IGBT + Dioda Anti-Paralela Tip de canal IGBT: N Pcⓘ - Putere disipată maximă: 882 W |Vce|ⓘ - Tensiune maximă colector-emițător: 1200 V |Vge|ⓘ - Tensiune maximă poartă-emițător: 25 V |Ic|ⓘ - Curent maxim de colector: 80 A @25℃ |VCEsat|ⓘ - Tensiune de saturație colector-emițător, tip: 1,8 V @25℃ |VGEth|ⓘ - Tensiune maximă de prag G-E: 7,5 V Tjⓘ - Temperatura maximă de joncțiune: 175 ℃ trⓘ - Timp de creștere, tip: 47 nS Coesⓘ - Capacitate de ieșire, tip: 180 pF Qgⓘ - Încărcare totală de poartă, tip: 370 nC TO247