Tip: IGBT + Dioda Anti-Paralela
Tip de canal IGBT: N
Pcⓘ - Putere disipată maximă: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensiune maximă colector-emițător: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensiune maximă poartă-emițător: 20 V
|Ic|ⓘ - Curentul maxim al colectorului: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Tensiune de saturație colector-emițător, tip: 1,9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensiune maximă de prag G-E: 6,5 V
Tjⓘ - Temperatura maximă de joncțiune: 175 ℃
trⓘ - Timp de creștere, tip: 56 nS
Coesⓘ - Capacitate de ieșire, tip: 390 pF
Qgⓘ - Încărcare totală de poartă, tip: 248 nC
TO247
